１ 前言 電力行業(yè)常用的監(jiān)控儀表與傳統(tǒng)的電參量變送器相比，逐步向智能化、集成化、多功能化方向發(fā)展，并且在電磁兼容性能上也有很高的要求（ＥＭＳ和ＥＭＩ試驗(yàn)均有相關(guān)要求）。設(shè)計(jì)者如何選擇適當(dāng)?shù)模牛停迷O(shè)計(jì)方案，對產(chǎn)品設(shè)計(jì)的成敗起到?jīng)Q定性作用。本文就如何進(jìn)行電力監(jiān)控儀表的電磁兼容設(shè)計(jì)進(jìn)行了綜合闡述?！?/span> ２ 標(biāo)準(zhǔn)解讀 ２．１ 判定標(biāo)準(zhǔn) 結(jié)合重工業(yè)產(chǎn)品通用標(biāo)準(zhǔn)，電力監(jiān)控用電力儀表需要滿足的ＥＭＳ、ＥＭＩ項(xiàng)目及評判等級見圖１. ２．２ 標(biāo)準(zhǔn)解讀 干擾通常分為持續(xù)干擾和瞬態(tài)干擾兩類。如廣播電臺、手機(jī)信號、步話機(jī)等屬于持續(xù)干擾。由于開關(guān)切換，電機(jī)制動等造成電網(wǎng)的波動，此類干擾我們稱為瞬態(tài)干擾。圖１中瞬態(tài)干擾包含：浪涌ＳＵＲＧＥ，靜電ＥＳＤ，電快速脈沖群ＥＦＴ/Ｂ，電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化ＤＩＰＳ；持續(xù)干擾包含：傳導(dǎo)敏感度ＣＳ，輻射敏感度ＲＳ。 評判等級Ａ所述的“性能不降低"，即干擾施加后，硬件無損害，干擾施加過程中無死機(jī)、復(fù)位、數(shù)據(jù)掉幀或誤碼率較高等問題，好像無干擾施加到產(chǎn)品一樣。通常持續(xù)性的干擾的評判等級均采用此評判等級。瞬態(tài)干擾為偶然性發(fā)生，且引起的電網(wǎng)干擾時(shí)間不長，故暫時(shí)性能降低，也就是評判等級Ｂ. ２．３?。牛停釉囼?yàn)項(xiàng)目及干擾實(shí)質(zhì)分析 （１）浪涌ＳＵＲＧＥ：波形１．２/５０μｓ、８/２０μｓ，是一種脈沖寬度為幾十個(gè)μｓ的脈沖，是一種傳導(dǎo)性干擾，因其脈沖攜帶較強(qiáng)能量，故需要對所有功能端口做相應(yīng)程度的防護(hù)，否則會引起內(nèi)部電路元件的*性硬損傷。 （２）靜電ＥＳＤ：波形上升沿為０．７－１ｎｓ，是一種脈沖寬度為幾十個(gè)ｎｓ的脈沖，因其峰值電壓范圍在數(shù)千至上萬伏，故脈沖也具有一定的能量，須在端口做防護(hù)。由于其上升沿很陡，故其攜帶的高頻諧波很豐富，可達(dá)５００ＭＨｚ，所以靜電在儀表所有裸露的金屬部件（包含端子，螺釘?shù)龋┻M(jìn)行接觸放電或孔縫（包含ＬＥＤ指示燈的開孔，各種散熱和觀察孔）時(shí)，或分別對水平耦合板和垂直耦合板間接放電時(shí)，均會在放電點(diǎn)瞬時(shí)形成一個(gè)高頻電場，通過空間對電路進(jìn)行干擾，這種干擾是共模干擾。因此，靜電設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意端口保護(hù)和空間高頻輻射場兩方面內(nèi)容。
（３）電快速脈沖群ＥＦＴ/Ｂ：波形上升沿為５ｎｓ，波形為數(shù)個(gè)周期脈沖串的組合，能量很低。干擾的性質(zhì)和靜電一樣是共模，干擾路徑既包括傳導(dǎo)也包含輻射。 （４）傳導(dǎo)敏感度ＣＳ：共模干擾，干擾頻段從１５０ＫＨｚ到８０ＭＨｚ。在進(jìn)行項(xiàng)目試驗(yàn)時(shí)，其干擾信號源至儀表的線纜長度與干擾頻段（３０ＭＨｚ）對應(yīng)的波長λ的１/４比擬，故在施加干擾電壓的調(diào)制頻率超過３０ＭＨｚ時(shí)，因趨膚效應(yīng)，干擾信號主要以空間輻射方式出現(xiàn)（低于３０ＭＨｚ時(shí)，主要還是以傳導(dǎo)方式干擾）。 （５）輻射敏感度ＲＳ：共模干擾，干擾頻段從８０ＭＨｚ到１ＧＨｚ。需注意，外拖的線纜充當(dāng)接收天線，干擾為電磁場的遠(yuǎn)場。 ２．４?。牛停稍囼?yàn)項(xiàng)目及干擾實(shí)質(zhì)分析 ＥＭＩ試驗(yàn)包含傳導(dǎo)發(fā)射ＣＥ和輻射發(fā)射ＲＥ。ＣＥ考察的頻段為１５０kＨｚ~３０ＭＨｚ，ＲＥ考察的頻段為３０ＭＨｚ~１ＧＨｚ，通常按Ａ類設(shè)備要求。對電力儀表而言，主要考察其內(nèi)部電源（通常為開關(guān)電源）、晶振（包括有源晶振和無源晶振）等主要騷擾源通過天線（由外拖線纜充當(dāng)）形成的傳導(dǎo)和輻射，在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)特別注意對上述騷擾源的處理。 ３ 電磁兼容設(shè)計(jì)方法 ３．１ 電磁兼容設(shè)計(jì)的基本思路 出現(xiàn)ＥＭＣ問題，必須有干擾源，耦合路徑及敏感設(shè)備三要素，缺少任何一個(gè)環(huán)節(jié)，均不能構(gòu)成ＥＭＣ問題。因此，針對ＥＭＣ問題，其設(shè)計(jì)就是針對三要素中的一個(gè)或幾個(gè)采取技術(shù)措施，限制或消除其影響，基本思路可分為“堵"和“疏"兩類?！岸?就是通過增加共模濾波器，采用光耦等隔離或線纜套磁環(huán)等方式增加共模阻抗Ｚ；“疏"就是通過電容形成高頻通路，將共模干擾引入阻抗更低的地（ＰＥ）或金屬殼。一個(gè)ＥＭＣ設(shè)計(jì)往往可以通過既“堵"又“疏"的方式，在成本增加不大的情況下，可獲得較好的ＥＭＣ性能。 ３．２ ＥＭＣ解決手段 屏蔽、接地和濾波是ＥＭＣ解決的三種手段。在下文中將詳細(xì)說明。 ４ 原理圖級設(shè)計(jì) 在確定儀表需要滿足的電磁兼容項(xiàng)目及試驗(yàn)等級后，在原理圖設(shè)計(jì)時(shí)就有必要對相關(guān)試驗(yàn)項(xiàng)目進(jìn)行設(shè)計(jì)，zui大程度降低電磁兼容風(fēng)險(xiǎn)和節(jié)省項(xiàng)目開發(fā)時(shí)間。 ４．１ 端口設(shè)計(jì) 儀表的端口包括電源端口及信號端口，在ＥＭＣ測試項(xiàng)目中針對端口的試驗(yàn)包括浪涌ＳＵＲＧＥ，靜電ＥＳＤ，電快速脈沖群ＥＦＴ／Ｂ，傳導(dǎo)敏感度ＣＳ，傳導(dǎo)發(fā)射ＣＥ，電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化ＤＩＰＳ。因此在設(shè)計(jì)中應(yīng)遵循先進(jìn)行浪涌防護(hù)后進(jìn)行隔離/共模濾波的順序進(jìn)行。 （１）浪涌防護(hù)設(shè)計(jì) 根據(jù)儀表端口的定義，浪涌分為差模浪涌和共模浪涌兩種。如信號端口（也包含工作電源端口）的進(jìn)線和回線間為差模浪涌，電路的進(jìn)線和回線分別對地（接地端子）為共模浪涌。 抑制浪涌zui常用的器件就是浪涌抑制器件，如氣體防電管、壓敏電阻、ＴＶＳ。不同的端口根據(jù)其功能，選用不同的組合方案進(jìn)行浪涌的防護(hù)。例如，當(dāng)儀表是三相四線輸入，因?yàn)殡妷憾丝跒楦咦栎斎?，在浪涌等級要求不太高時(shí)，一般無須采用壓敏電阻和氣體放電管。 （２）共模濾波器的設(shè)計(jì) 通過在端口附近設(shè)計(jì)共模濾波器，對共模干擾進(jìn)行旁路。濾除共模干擾也可采取設(shè)計(jì)隔離元件等增大共模阻抗的方式或通過電容接地（如果端口設(shè)計(jì)有接地端子，應(yīng)滿足相應(yīng)安全要求）的方式來實(shí)現(xiàn)。 設(shè)計(jì)共模濾波器，首先應(yīng)明確共模干擾的頻段，以便選擇合適的電感、電容參數(shù)。若需要同時(shí)抑制低、中、高頻的共模干擾，有時(shí)可采用低頻和高頻共模濾波器串聯(lián)的方式來解決。 儀表電源端口往往采用開關(guān)電源，由于開關(guān)電源是一個(gè)重要的對外干擾源，需要在端口設(shè)計(jì)ＥＭＩ濾波器。另外，從ＥＭＳ角度考慮，由于隔離變壓器的輸入輸出間存在較大的分布電容，高頻共模干擾可以毫無衰減地從輸入耦合至輸出，因此也需要在開關(guān)電源前設(shè)計(jì)濾波器。 電源端口基本濾波電路結(jié)構(gòu)見圖２。當(dāng)無ＰＥ時(shí)，共模電容省略。共模扼流圈在繞制中會產(chǎn)生１％左右的漏感，可直接利用來進(jìn)行差模濾波，若要加強(qiáng)差模濾波，則可在扼流圈后增加差模電感設(shè)計(jì)。需要強(qiáng)調(diào)的是，圖２所示濾波器在進(jìn)行ＰＣＢ布板時(shí)，應(yīng)盡量擺放在靠近于端口的位置，且印制線走線應(yīng)注意控制環(huán)路面積，讓濾波器獲得zui大的插入損耗。 ４．２ 敏感電路及器件設(shè)計(jì) 在設(shè)計(jì)中需要注意對易接收電磁干擾的電磁敏感電路和器件的設(shè)計(jì)。盡量采用抗擾度高的器件，在功能滿足的情況下，盡量降低晶振的頻率，盡量選擇上升沿較緩的器件。 電容、電感非理想器件的寄生參數(shù)，在高頻時(shí)將會大大影響其濾波效果，所以對不同頻段的干擾信號應(yīng)選擇不同的濾波參數(shù)。以電容為例，其頻率阻抗曲線見圖３.這里需要強(qiáng)調(diào)的是，該類器件的引線過長時(shí)，其高頻下寄生參數(shù)會降低自身的諧振頻率，建議盡量采用貼片器件。一個(gè)常用的做法是選擇參數(shù)相差１００倍的電容進(jìn)行并聯(lián)，以保證在其較寬的頻段范圍內(nèi)始終保持電容特性。 數(shù)字芯片均應(yīng)做去耦設(shè)計(jì)，特別是攜帶豐富高次諧波的數(shù)字電源引腳，通常用０．１μＦ電容與１ｎＦ電容并聯(lián)。對于數(shù)字芯片中因結(jié)構(gòu)、傳輸路徑等客觀因素影響的關(guān)鍵信號均應(yīng)做去耦設(shè)計(jì)，去耦時(shí)應(yīng)注意不要影響信號的正常傳輸。 對于特別敏感的電路單元，在成本允許和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)充分考慮，針對輻射試驗(yàn)項(xiàng)目（ＲＳ和ＲＥ）屏蔽材料選擇鋁或銅等金屬，設(shè)計(jì)時(shí)為保證足夠的屏蔽效能應(yīng)保證低接地阻抗，在此不作詳細(xì)說明。 ５ 結(jié)構(gòu)級、ＰＣＢ級設(shè)計(jì) 結(jié)構(gòu)上需要考慮靜電放電、射頻電磁場輻射、輻射發(fā)射三項(xiàng)ＥＭＣ試驗(yàn)項(xiàng)目，下面主要以因結(jié)構(gòu)限制，在ＰＣＢ設(shè)計(jì)中常出現(xiàn)的一些問題進(jìn)行分析。 常見問題一，儀表因自身結(jié)構(gòu)緊湊，內(nèi)部常由幾塊ＰＣＢ構(gòu)成，ＰＣＢ之間通過插針、互聯(lián)排線等連接，如何進(jìn)行ＥＭＩ防護(hù)？ 這些都是ＥＭＣzui為脆弱的環(huán)節(jié)，當(dāng)連線長度與干擾頻率的波長可比擬時(shí)，既容易接收到外界的干擾，也容易將內(nèi)部干擾帶出產(chǎn)品，引起ＥＭＩ超標(biāo)。 設(shè)計(jì)時(shí)可從以下三方面著手解決：①對插針中傳遞的信號進(jìn)行濾波；②盡量減少插針、互聯(lián)排線的長度（從工藝角度可將其捆扎）；③增加地針數(shù)目，采用“地——信號１——地——信號２——地——信號３——地"方式，減少信號的回路面積，降低不同ＰＣＢ之間的Ｚｇｎｄ. 常見問題二，針對液晶顯示屏，ＬＥＤ指示燈，孔縫等如何進(jìn)行靜電ＥＳＤ防護(hù)？ 在設(shè)計(jì)中建議對液晶顯示屏采取透明材料絕緣處理，或增大與內(nèi)部電路的放電距離。 ＰＣＢ布線時(shí)應(yīng)注意：①濾波器設(shè)計(jì)時(shí)不要讓輸入輸出分開，避免耦合，采用“一"或“Ｌ"型；②對關(guān)鍵芯片的敏感信號去耦時(shí)，去耦電容應(yīng)緊靠其管腳，以減小回路面積；③敏感信號不能從晶振底部穿越，也不能離靠近儀表端口，長距離傳輸時(shí)，應(yīng)注意采用包地方式；④盡量縮短關(guān)鍵信號的傳遞路徑距離，采用伴地設(shè)計(jì)時(shí)，注意增加地過孔的數(shù)目；⑤注意不要讓敷地存在地割裂情況；⑥通過增加距離來降低相信號通道間的空間耦合；⑦通過正交來解決ＰＣＢ頂層和底層信號的相互影響；⑧模擬地和數(shù)字地在一點(diǎn)處連接，Ａ/Ｄ通常視作模擬器件。 常見問題三，如何“接地"？一個(gè)產(chǎn)品只有一個(gè)接地點(diǎn)。因而，對于接地點(diǎn)位置的選擇十分重要，設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)保證接地點(diǎn)位于干擾信號注入端口且具有低的接地阻抗，通過電容可對共模干擾信號能進(jìn)行旁路。若儀表端口設(shè)計(jì)時(shí)預(yù)留了一個(gè)接地端子，可以是前端三相四線輸入電壓（Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ、Ｎ）的保護(hù)地ＰＥ，也可以是其交流工作電源（Ｌ、Ｎ）的保護(hù)地ＰＥ或者還有可能是ＲＳ４８５通訊（Ａ、Ｂ）的保護(hù)地ＰＥ/屏蔽地ＦＧ. 地設(shè)計(jì)時(shí)還應(yīng)保證這個(gè)地是干凈的地，即ＥＭＣ中所述的“靜地"。當(dāng)?shù)夭桓蓛魰r(shí)，共模干擾信號可能會從地反竄流入信號造成地污染，所以結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和ＰＣＢ設(shè)計(jì)時(shí)，常用做法是在端口預(yù)留一塊銅箔，讓其與內(nèi)部其它信號分割開來，且留有一定的距離（安全要求考慮）。 ６ 結(jié)束語 電子產(chǎn)品在進(jìn)行功能設(shè)計(jì)時(shí)，就需要進(jìn)行電磁兼容方面的考慮，電力監(jiān)控用電力儀表也不例外。ＥＭＣ設(shè)計(jì)需要從原理圖、ＰＣＢ和結(jié)構(gòu)等方面進(jìn)行綜合考慮，并根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行相互調(diào)整，這樣才能zui大程度的降低ＥＭＣ風(fēng)險(xiǎn)，減少ＥＭＣ整改成本，zui終滿足相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。
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